微波法
-
微波法快速制备高品质Sb2Se3纳米线用作锂离子电池负极材料
【引言】 V-VI主族金属硫属化合物半导体由于具有典型的窄带隙和尺寸依赖性质，呈现出重要的应用价值。其中，硒化锑（Sb2Se3）是一种具备直接带隙（Eg≈1.11 eV）的代表性半…
【引言】 V-VI主族金属硫属化合物半导体由于具有典型的窄带隙和尺寸依赖性质，呈现出重要的应用价值。其中，硒化锑（Sb2Se3）是一种具备直接带隙（Eg≈1.11 eV）的代表性半…
激活账户：
联系邮箱：mz@energist.vip
工作时间：周一至周六，9:00-17:00
